2007.8-2012.8 西安微电子技术研究所 计算机系统结构 博士
2004.8-2007.7 西安科技大学 电力电子与电力传动 硕士
2000.9-2004.7 西安科技大学 自动化 学士

2012.8-2014.8 西安微电子技术研究所 研究发展事业部 工程师
2014.9-2018.8 西安微电子技术研究所 集成电路设计事业部 高级工程师
2018.9-2023.3 西安微电子技术研究所 集成电路事业部 研究员
2023.4- 西安建筑科技大学 信息与控制工程学院 教授

《计算机组成原理》、《微电子概论》

主持/参与的纵向项目：
（1）装发部信息系统局，YY项目，XXXXXX，碳化硅XXXXXX技术，2021.1-2022.12，85万元，结题，参加。
（2）中国航天科技集团有限公司，青年拔尖人才基金项目，XXXXXX，抗辐射超结VDMOS关键技术，2019.1-2021.12，90万元，结题，主持。
（3）陕西省科技厅，重点产业创新链，2017ZDCXL-GY-11-01，1200V SiC JBS 设计和工艺技术开发，2017.1-2019.12，125万元，结题，主持。
（4）装发部信息系统局，XP项目，XXXXXX，XXXXXX功率MOSFET，2016.9-2019.12，600万元，结题，主持。
（5）陕西省科技厅，重点项目，2015KTZDGY03-07,抗辐射0.5μm CMOS/SOI工艺ESD保护技术研究，2015.1-2016.12，75万元，结题，参与。
（6）科技部，HGJ项目，XXXXXX，抗辐射XXXXXX技术，2012.10-2014.12，9299万元，结题，参与。
主持的横向项目：
（1）中科院近代物理研究所，HIRFL高端用户项目，HIR19GY005，抗辐照超结VDMOS研究，2019.7-2021.12，45万元，结题，主持。
（2）中电14所，横向新品项目，HX2017-06，抗辐照VDMOS产品XXXXXX，2017.7-2018.12，结题，主持。
（3）中国航天科技集团五院，宇航用电子元器件自主可控任务项目，HX2015-03，XXXXXXX系列场效应晶体管，2015.7-2020.12，结题，主持。

一、专利及软件著作权
（1）王忠芳，谢成民，岳红菊等，一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路，发明专利，2013年11月，专利号：ZL201210139129.1。
（2）王忠芳，谢成民，吴龙胜等，一种基于PD SOI工艺的体栅耦合ESD保护结构，发明专利，2015年1月，专利号：ZL201210150748.0。
（3）王忠芳，唐威，杨凌等，一种具有自我ESD保护的输入输出电路，发明专利，2015年4月，专利号：ZL201210428835.8。
（4）王忠芳，刘存生，蒋轶虎等，一种基于PD SOI的二极管辅助触发ESD 保护电路，发明专利，2015年9月，专利号：ZL201310109113.0。
（5）王忠芳、吴龙胜、薛智民等，一种基于PD SOI工艺可调开启电压的抗辐照ESD保护结构，2015年10月，国防专利，专利号：ZL201418001638.8。
（6）谢成民，王忠芳，王云鹏等，一种高可靠静态存储单元及其应用方法，发明专利，2012年10月，专利号：ZL201110031854.2。
（7）谢成民，王忠芳，唐威等，一种抗单粒子翻转加固的静态存储单元，发明专利，2012年11月，专利号：ZL201110031853.8。
（8）谢成民，王忠芳，李如美等，一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元，发明专利，2012年11月，专利号：ZL201110031829.4。
（9）杨晓文，王健，王忠芳等，一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，2023年6月，发明专利，专利号：ZL202110663133.7。
（10）王忠芳，薛智民，刘存生等，一种基于0.35μm PD SOI工艺的ESD保护结构版图，集成电路布图登记，2015年，登记号：BS.155503588。
（11）王忠芳，吴龙胜，刘存生等，一种基于0.5μm PD SOI工艺的ESD保护结构版图，集成电路布图登记，2015年，登记号：BS.155503596。
（12）王忠芳，刘存生，薛智民等，一种改善功率MOSFET动态性能的布图，集成电路布图登记，2017年，登记号：BS.175532052。
（13）王忠芳，刘存生，薛智民等，一种提高功率MOSFET ESD保护能力的布图，集成电路布图登记，2017年，登记号：BS.175532060。
（14）王忠芳，刘存生，薛智民等，一种降低功率MOSFET导通电阻的布图，集成电路布图登记，2017年，登记号：BS.175532079。
（15）王忠芳，刘存生，薛智民等，一种增强功率MOSFET抗单粒子性能的布图，集成电路布图登记，2017年，登记号：BS.175532087。
二、学术论文
（1）王忠芳,吴龙胜,刘存生等. PD SOI单端体接触源漏非对称H栅结构研究[C].第六届航天器抗辐射加固技术学术交流会论文集, 2009：280-285。
（2）王忠芳, 谢成民, 赵德益等.基于PD SOI的GCNMOS电源箝位保护电路[J]. 武汉大学学报(工学版), 2011, 44(2): 245-248。
（3）Z. F. Wang, C. M. Xie, H. J. Yue, et al. Influence of Body Contact on the ESD Protection Performance in 0.35μm Partially-Depleted SOI Salicided CMOS Technology [J]. Advanced Materials Research, Manufacturing Science and Technology Volume 383-390, 2011, 7025-7031。
（4）谢成民,王忠芳,吴龙胜等. 一种新颖的高可靠CMOS SRAM单元[J].半导体学报,2011,32(7):075011-5；
（5）谢成民,王忠芳,汪西虎等. 一种新式SEU加固PD SOI SRAM单元[J].半导体学报,2011,32(11):115017-5。
（6）王忠芳,吴龙胜,刘存生等. 改善深亚微米PD SOI工艺ESD保护性能研究[C].中国航天科技集团公司微电子器件论坛论文集,2013年。
（7）王忠芳,刘存生,程鹏刚等.VDMOS开关特性与器件结构和工艺参数关系研究[C].中国航天九院单片集成电路工艺技术中心2017年技术交流论文集，2017年。
（8）王晨霞,王忠芳,杨庚等，1200V碳化硅MOSFET器件设计及特性研究[C].七七一所2020年学术论文集，2020年。
（9）王忠芳,王晨霞,杨庚等.高压SiC肖特基二极管可靠性研究[C].第十五届中国半导体行业协会半导体分立器件年会论文集；2021年。
（10）Bin Hou, Zhong fang Wang, Chen xia Wang. Investigation on Single-Event radiation harden method of SiC Schottky diode[C]. 4th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices, 2021。
三、所获荣誉
（1）2013年 西安微电子技术研究所 技术标兵
（2）2013年 0.35μm SOI抗辐射集成电路工艺技术 西安微电子技术研究所 技术创新优秀项目一等奖
（3）2014年 抗辐照原胞类VDMOS产品技术 西安微电子技术研究所 技术创新优秀项目二等奖
（4）2015年 西安微电子技术研究所 技术标兵
（5）2015年 抗辐射条栅VDMOS产品技术平台 西安微电子技术研究所 技术创新优秀项目二等奖
（6）2016年 抗辐射VDMOS项目 西安微电子技术研究所 产业发展特别贡献奖
（7）2017年 西安微电子技术研究所 研发先进个人
（8）2017年 抗辐射0.35μm XXXXX CMOS/SOI工艺平台 中央军委科技委 军队科学技术进步二等奖
（9）2018年 宇航用抗辐射功率MOSFET技术平台 中国航天科技集团有限公司 科学技术进步三等奖
（10）2019年 中国航天科技集团有限公司 集团公司青年拔尖人才
（11）2021年 共青团陕西省国防工委 第十六届陕西国防科技工业系统十大杰出青年
（12）2022年 军用高可靠SiC肖特基二极管关键技术 中国航天九院 科学技术进步三等奖